1 西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室, 四川 成都 610031
2 School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜, 通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示, 所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构, 具有沿c轴的择优取向; 溅射压强P=0.6 Pa, 氩氧比Ar/O2=20/5.5 sccm时, (002)晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大, (O02)XRD峰半峰全宽(FWHM)最小, 光致发光紫外峰强度最强。
ZnO薄膜 射频反应磁控溅射 溅射压强 氩氧比 光致发光 ZnO films RF reactive magnetron sputtering sputtering pressure argon-oxygen ratio photoluminescence
